1-6 半導体メモリ
令和7年1月修了試験 問16
コンデンサに蓄えた電荷の有無で情報を記憶するメモリはどれか。
- ア EEPR0M
- イ SDRAM
- ウ SRAM
- エ フラッシュメモリ
解答 イ
【頭の準備体操】
DRAM(Dynamic Random Access Memory)は，メインメモリとして使用されるRAM。コンデンサの電荷を保持するので，定期的にリフレッシュ(再書き込み)が必要。
SDRAM(Synchronous DRAM)は，クロック周波数に同期して動作するDRAM。
- ア Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。電気的にバイト単位でデータの消去や書込みができる不揮発性メモリ。
- イ 正解
- ウ Static Random Access Memory。キャッシュメモリとして使用されるRAM。フリップフロップ回路を使用して各ビットを保持するので，リフレッシュが不要。
- エ 電気的にブロック単位でデータの消去や書込みができる不揮発性メモリ。EEPROMを改良したもの。
令和7年1月修了試験 問9
メモリインタリーブの説明はどれか。
- ア CPUと磁気ディスク装置との間に半導体メモリによるデータバッファを設けて,磁気ディスクアクセスの高速化を図る。
- イ 主記憶のデータの一部をキャッシュメモリにコピーすることによって,CPUと主記憶とのアクセス速度のギャップを埋め,メモリアクセスの高速化を図る。
- ウ 主記憶へのアクセスを高速化するために,アクセス要求,データの読み書き及び後処理が終わってから,次のメモリアクセスの処理に移る。
- エ 主記憶を複数の独立したグループに分けて,CPUからのアクセス要求を並列に処理することによって,主記憶へのアクセスの高速化を図る。
解答 エ
【頭の準備体操】
メモリインタリーブは，主記憶を幾つかの独立した区画(バンクという)に分割し，バンクを並列アクセスすることでデータの読み書きの高速化を図る技術。
- ア ディスクキャッシュ
- イ キャッシュメモリ
- ウ 主記憶へのアクセスを高速化するために，アクセス要求，データの読み書き及び後処理を並列実行するべきである。
- エ メモリインタリーブ(正解)
令和6年6月修了試験 問9
メモリインタリーブの説明として,適切なものはどれか。
- ア 新しい情報をキャッシュメモリに取り出すとき,キャッシュ上では不要になった情報を主記憶に書き込む。
- イ 主記憶のアクセス時間と磁気ディスクのアクセス時間とのギャップを補う。
- ウ 主記憶の更新と同時にキャッシュメモリの更新を行う。
- エ 主記憶を幾つかの区画に分割し,連続したメモリアドレスへのアクセスを高速化する。
解答 エ
【頭の準備体操】
メモリインタリーブは，主記憶を幾つかの独立した区画(バンクという)に分割し，バンクを並列アクセスすることでデータの読み書きの高速化を図る技術。
- ア キャッシュメモリのライトバック方式
- イ ディスクキャッシュ
- ウ キャッシュメモリのライトスルー方式
- エ メモリインタリーブ(正解)