基本情報技術者講座
★ 猫本 1-06 半導体メモリ(その1) ★
基本情報技術者 平成29年度秋期 問21
コンデンサに蓄えた電荷の有無で情報を記憶するメモリはどれか。
| ア | EEPROM |
| イ | SDRAM |
| ウ | SRAM |
| エ | フラッシュメモリ |
解説
(頭の準備体操)
DRAM(Dynamic RAM)：「コンデンサに蓄えた電荷の有無で情報を記憶するメモリ」(FE29.2.21)。主記憶に用いられる。
| ア | EEPROM(Electrically Erasable PROM)：「1バイト単位でデータの消去及び書込みが可能な不揮発性のメモリであり，電源遮断時もデータ保持が必要な用途に用いられる。」(FE30.2.21) |
| イ | SDRAM(Synchronous DRAM)：クロック信号に同期して動作するDRAM(正解) |
| ウ | SRAM(Static RAM)：「メモリセルはフリップフロップで構成され，キャッシュメモリに用いられる。」(FE30.2.21) |
| エ | 「電気的に書換え可能な，不揮発性のメモリである。」(IP29.2.67)。EEPROMを改良したもの。「書込み及び消去を一括又はブロック単位で行う。」(FE01.2.20) |
解答
イ
基本情報技術者 令和4年度6月免除 問20・令和元年度秋期 問20
DRAMの特徴はどれか。
| ア | 書込み及び消去を一括又はブロック単位で行う。 |
| イ | データを保持するためのリフレッシュ操作又はアクセス操作が不要である。 |
| ウ | 電源が遮断された状態でも，記憶した情報を保持することができる。 |
| エ | メモリセル構造が単純なので高集積化することができ，ビット単価を安くできる。 |
解説
(頭の準備体操)
DRAM(Dynamic RAM)：「コンデンサに蓄えた電荷の有無で情報を記憶するメモリ」(FE29.2.21)。主記憶に用いられる。
| ア | フラッシュメモリは，書込み及び消去を一括又はブロック単位で行う。 |
| イ | データを保持するためのリフレッシュ動作が必要である。 |
| ウ | 電源が遮断されると，記憶していた情報は消える(揮発性)。 |
| エ | メモリセル構造が単純なので高集積化することができ，ビット単価を安くできる。(正解) |
解答
エ
基本情報技術者 平成30年度秋期 問21
DRAMの説明として，適切なものはどれか。
| ア | 1バイト単位でデータの消去及び書込みが可能な不揮発性のメモリであり，電源遮断時もデータ保持が必要な用途に用いられる。 |
| イ | 不揮発性のメモリでNAND型又はNOR型があり，SSDに用いられる。 |
| ウ | メモリセルはフリップフロップで構成され，キャッシュメモリに用いられる。 |
| エ | リフレッシュ動作が必要なメモリであり，PCの主記憶として用いられる。 |
解説
(頭の準備体操)
DRAM(Dynamic RAM)：「コンデンサに蓄えた電荷の有無で情報を記憶するメモリ」(FE29.2.21)。主記憶に用いられる。
| ア | EEPROM(Electrically Erasable PROM) |
| イ | フラッシュメモリ |
| ウ | SRAM(Static RAM) |
| エ | DRAM(Dynamic RAM)(正解) |
解答
エ
基本情報技術者 平成31年春期 問21・平成28年度秋期 問22
メモリセルにフリップフロップ回路を利用したものはどれか。
| ア | DRAM |
| イ | EEPROM |
| ウ | SDRAM |
| エ | SRAM |
解説
(頭の準備体操)
SRAM(Static RAM)：「メモリセルはフリップフロップで構成され，キャッシュメモリに用いられる。」(FE30.2.21)
| ア | DRAM(Dynamic RAM)：「コンデンサに蓄えた電荷の有無で情報を記憶するメモリ」(FE29.2.21)。主記憶に用いられる。 |
| イ | EEPROM(Electrically Erasable PROM)：「1バイト単位でデータの消去及び書込みが可能な不揮発性のメモリであり，電源遮断時もデータ保持が必要な用途に用いられる。」(FE30.2.21) |
| ウ | SDRAM(Synchronous DRAM)：クロック信号に同期して動作するDRAM |
| エ | SRAM(Static RAM)：「メモリセルはフリップフロップで構成され，キャッシュメモリに用いられる。」(FE30.2.21)(正解) |
解答
エ